Ataque químico húmedo de nitruro de galio (GaN) asistido por láser

Un centro de investigación singapurense ha desarrollado una técnica de ataque químico húmedo de nitruro de galio (GaN) asistido por láser. Esta técnica ofrece numerosas ventajas en comparación con la tecnología tradicional de ataque por plasma y puede emplearse en la fabricación de LEDs verticales. La tecnología evita el uso de máscaras y, por lo tanto, la necesidad de un proceso de litografía. El uso de láser en el proceso aumenta la velocidad del ataque y permite la creación de una zanja vertical limpia y profunda desde la superficie de la oblea de GaN hasta el sustrato de zafiro. Industrias como fabricantes de semiconductores, mecánica y electrónica flexible pueden aprovechar las ventajas competitivas de esta técnica. El centro de investigación busca pymes y multinacionales con el fin de establecer acuerdos de licencia.
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